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L'analisi chimica degli elementi totali (ICP-MS) è una tecnologia strumentale ampiamente utilizzata nel campo dell'analisi chimica. È sviluppato sulla base della tecnologia della spettrometria di massa al plasma accoppiato induttivamente (ICP).

Un disperdente è una sostanza chimica utilizzata per disperdere le nanoparticelle in soluzione o solido. Il suo principio di base è interagire con la superficie delle nanoparticelle, modificare le caratteristiche della superficie, ridurre l'attrazione tra le particelle e ottenere la dispersione delle nanoparticelle.

In qualità di fornitore leader di nanopolveri YSZ, SAT NANO comprende l'importanza della chiarezza quando si tratta di comprendere le differenze tra i diversi tipi di nanopolveri. In questo articolo discuteremo delle differenze tra FSZ, PSZ, TZP e YSZ e di come la nanopolvere YSZ si distingue dalle altre.

Con la fine del Festival di Primavera del Capodanno lunare cinese, Set New Materials ha ripreso ufficialmente le operazioni il 19 febbraio 2024. La tigre è un simbolo di buona fortuna nella cultura cinese e, con l'inaugurazione di un nuovo anno di infinite possibilità, Set New Materials è pronto a servire i propri clienti con polveri metalliche, carburi e polvere di ossidi di qualità. Questo blog esplorerà il significato del 2024 come anno e l'impegno dell'azienda nel fornire un servizio eccellente ai propri clienti.

Negli ultimi anni, il campo dei materiali per la gestione termica ha visto progressi significativi. Una di queste aree di interesse è stata la modifica delle proprietà superficiali delle polveri di alluminio per migliorarne le prestazioni termiche. In qualità di leader nella produzione di nanopolveri di alluminio di alta qualità, SAT NANO ha svolto un ruolo chiave in questi sforzi. In questo post del blog esploreremo i metodi e i vantaggi della modifica superficiale della polvere di alluminio.

Con lo sviluppo della tecnologia a circuito integrato (IC), il ridimensionamento dei transistor a semi -duttori di ossido di metallo (MOS) (MOS) (FET) si sta avvicinando ai loro limiti fisici fondamentali. I nanotubi di carbonio (CNT) sono considerati materiali promettenti nell'era post silicio a causa del loro spessore atomico e delle proprietà elettriche uniche, con il potenziale per migliorare le prestazioni dei transistor riducendo al contempo il consumo di energia. I nanotubi di carbonio allineati ad alta purezza (A-CNT) sono una scelta ideale per guidare IC avanzati a causa della loro alta densità di corrente. Tuttavia, quando la lunghezza del canale (LCH) diminuisce al di sotto di 30 nm, le prestazioni del FET A-CNT a singolo gate (SG) diminuiscono significativamente, si sono manifestate principalmente come deterioramento delle caratteristiche di commutazione e un aumento della corrente di perdita. Questo articolo mira a rivelare il meccanismo di degrado delle prestazioni nel FET A-CNT attraverso ricerche teoriche e sperimentali e proporre soluzioni.