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Riorganizzazione e densificazione delle particelle: nella sinterizzazione in fase liquida, la generazione di fase liquida e riarrangiamento delle particelle sono passaggi chiave per la densificazione. Piccole particelle hanno una grande superficie specifica e un'energia superficiale. Dopo la generazione della fase liquida, la fase solida viene bagnata dalla fase liquida e si infiltra negli spazi tra le particelle. Se la quantità di fase liquida è sufficiente, le particelle di fase solida saranno completamente circondate dalla fase liquida e approssimano uno stato sospeso. Sotto la tensione superficiale della fase liquida, subiranno spostamento e regolazione della posizione, ottenendo così la disposizione più compatta. In questa fase, la densità del corpo sinterizzato aumenta rapidamente

In qualità di fornitore leader di nanopolveri YSZ, SAT NANO comprende l'importanza della chiarezza quando si tratta di comprendere le differenze tra i diversi tipi di nanopolveri. In questo articolo discuteremo delle differenze tra FSZ, PSZ, TZP e YSZ e di come la nanopolvere YSZ si distingue dalle altre.

L’innovazione è stata una forza significativa che ha guidato il cambiamento in molti settori, compresa la tecnologia. Con l’avvento delle nanotecnologie si è aperto un mondo di possibilità completamente nuovo. La nanotecnologia è un campo scientifico interdisciplinare che si occupa di materiali a livello di nanoscala. Una di queste innovazioni nel campo delle nanotecnologie è la nano polvere di silicio. In questo blog approfondiremo il mondo della nano polvere di silicio e capiremo come ha rivoluzionato vari settori.

La polvere di carburo di silicio è diventata un materiale popolare in vari settori grazie alle sue proprietà uniche come elevata durezza, elevata resistenza all'usura ed eccellente conduttività termica. Esistono due tipi di polvere di carburo di silicio, Alpha SiC e Beta SiC. In questo articolo esploreremo le differenze tra i due tipi di polvere di carburo di silicio e le loro applicazioni.

Con lo sviluppo della tecnologia a circuito integrato (IC), il ridimensionamento dei transistor a semi -duttori di ossido di metallo (MOS) (MOS) (FET) si sta avvicinando ai loro limiti fisici fondamentali. I nanotubi di carbonio (CNT) sono considerati materiali promettenti nell'era post silicio a causa del loro spessore atomico e delle proprietà elettriche uniche, con il potenziale per migliorare le prestazioni dei transistor riducendo al contempo il consumo di energia. I nanotubi di carbonio allineati ad alta purezza (A-CNT) sono una scelta ideale per guidare IC avanzati a causa della loro alta densità di corrente. Tuttavia, quando la lunghezza del canale (LCH) diminuisce al di sotto di 30 nm, le prestazioni del FET A-CNT a singolo gate (SG) diminuiscono significativamente, si sono manifestate principalmente come deterioramento delle caratteristiche di commutazione e un aumento della corrente di perdita. Questo articolo mira a rivelare il meccanismo di degrado delle prestazioni nel FET A-CNT attraverso ricerche teoriche e sperimentali e proporre soluzioni.

La nostra ricerca su SAT Nano ha identificato diversi vantaggi critici. Innanzitutto, gli additivi per nanoparticelle di Boride creano una barriera più densa e più coesa contro l'umidità e la penetrazione chimica. In secondo luogo, migliorano drasticamente la resistenza all'abrasione, spesso aumentandolo del 200-300% rispetto ai rivestimenti standard. In terzo luogo, mantengono la stabilità a temperature superiori a 800 ° C, dove i rivestimenti tradizionali si degradano rapidamente.