La modifica superficiale della polvere di nitruro di silicio si ottiene principalmente attraverso metodi fisici e chimici per migliorare le proprietà fisiche e chimiche delle particelle di nitruro di silicio.
La modifica superficiale della polvere di nitruro di silicio si ottiene principalmente attraverso metodi fisici e chimici per migliorare le proprietà fisiche e chimiche delle particelle di nitruro di silicio.
Il rame è diverso dai metalli come l'alluminio e il nichel in quanto è difficile formare uno strato di passivazione intrinseco denso e stabile sulla sua superficie. Pertanto, la superficie di rame esposta verrà continuamente ossidata e corrosa dall'ossigeno e dal vapore acqueo presenti nell'aria. Quanto più piccola è la dimensione delle particelle e maggiore è l'area superficiale specifica della polvere di rame, tanto più facile sarà ossidarsi rapidamente per produrre prodotti come l'ossido rameoso (Cu2O) e l'ossido di rame (CuO). Questo strato isolante di ossido riduce significativamente la conduttività della polvere di rame e ostacola la connessione di sinterizzazione delle particelle, con conseguente degrado delle prestazioni della pasta conduttiva.
Le nanoparticelle di rame hanno suscitato molto interesse negli ultimi anni a causa delle loro proprietà interessanti, preparazione a basso costo e molte potenziali applicazioni in catalisi, fluidi di raffreddamento o inchiostri conduttivi. In questo studio, le nanoparticelle di rame sono state sintetizzate mediante riduzione chimica del rame solfato Cuso4 e boroidruro di sodio Nabh ₄ in acqua senza protezione inerte.
Con lo sviluppo della tecnologia a circuito integrato (IC), il ridimensionamento dei transistor a semi -duttori di ossido di metallo (MOS) (MOS) (FET) si sta avvicinando ai loro limiti fisici fondamentali. I nanotubi di carbonio (CNT) sono considerati materiali promettenti nell'era post silicio a causa del loro spessore atomico e delle proprietà elettriche uniche, con il potenziale per migliorare le prestazioni dei transistor riducendo al contempo il consumo di energia. I nanotubi di carbonio allineati ad alta purezza (A-CNT) sono una scelta ideale per guidare IC avanzati a causa della loro alta densità di corrente. Tuttavia, quando la lunghezza del canale (LCH) diminuisce al di sotto di 30 nm, le prestazioni del FET A-CNT a singolo gate (SG) diminuiscono significativamente, si sono manifestate principalmente come deterioramento delle caratteristiche di commutazione e un aumento della corrente di perdita. Questo articolo mira a rivelare il meccanismo di degrado delle prestazioni nel FET A-CNT attraverso ricerche teoriche e sperimentali e proporre soluzioni.
Il rame rivestito di rame e argento con rivestimento di grafene ha differenze essenziali nella conducibilità, ognuna con i propri vantaggi e svantaggi, e anche i loro scenari applicabili sono diversi.
